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國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體重要進(jìn)展!武漢國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目二期開(kāi)工

6月20日上午,國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目二期在武漢東湖高新區(qū)開(kāi)工。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目由紫光集團(tuán)、國(guó)家集成電路基金、湖北省科投集團(tuán)和湖北省集成電路基金共同投資建設(shè),計(jì)劃分兩期建設(shè)3D NAND閃存芯片工廠,總投資240億美元。

在開(kāi)工儀式上,紫光集團(tuán)兼長(zhǎng)江存儲(chǔ)公司董事長(zhǎng)趙偉國(guó)介紹,一期主要實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破,并建成10萬(wàn)片/月產(chǎn)能;二期規(guī)劃產(chǎn)能20萬(wàn)片/月,兩期項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后月產(chǎn)能共計(jì)30萬(wàn)片。

此前,項(xiàng)目一期已于2016年底開(kāi)工建設(shè),進(jìn)展順利,32層、64層存儲(chǔ)芯片產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定量產(chǎn);今年4月成功研制出全球首款128層QLC三維閃存芯片,并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。

據(jù)公司官網(wǎng)介紹,作為業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存,長(zhǎng)江存儲(chǔ)X2-6070擁有業(yè)內(nèi)已知型號(hào)產(chǎn)品中最高單位面積存儲(chǔ)密度,最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND 閃存芯片容量。

2014年,國(guó)務(wù)院印發(fā)《國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》,同年9月國(guó)家大基金一期成立;2019年10月,規(guī)模超過(guò)2000億的國(guó)家大基金二期也正式成立。

據(jù)中國(guó)證券報(bào),從投向上看,國(guó)家大基金一期偏重于對(duì)資金需求度更高的制造環(huán)節(jié),并且重點(diǎn)投向了國(guó)內(nèi)龍頭企業(yè),例如對(duì)中芯國(guó)際的承諾投資便達(dá)到了約215億元,長(zhǎng)江存儲(chǔ)達(dá)到190億元,華力微電子約116億元。在存儲(chǔ)領(lǐng)域,國(guó)家大基金一期重點(diǎn)投資了IDM模式(設(shè)計(jì)-制造-封裝測(cè)試-銷(xiāo)售為一體)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)。

關(guān)于大基金二期投資方向時(shí),分析認(rèn)為,制造依然是大基金投資的重點(diǎn)。

上海證券報(bào)則在今年3月援引業(yè)內(nèi)人士觀點(diǎn),雖然前期大基金已經(jīng)投資了中芯國(guó)際、華力微電子、長(zhǎng)江存儲(chǔ)等,但鑒于集成電路制造的重要性、投資重大,大基金還要持續(xù)給予這些公司以及更多的相關(guān)公司支持。

華芯基金管理公司(國(guó)家集成電路二期基金)副總裁任凱今年3月也表示,二期基金積極支持湖北產(chǎn)業(yè)發(fā)展,已推動(dòng)兩個(gè)重大項(xiàng)目在湖北落地,分別是總投資規(guī)模800億元左右的長(zhǎng)江存儲(chǔ),以及總投資規(guī)模120億元的三安光電。

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